مرکز ایده | فروشگاه طرح، ایده و پژوهش های علمی
توضیحات
فایل تحقیقی پاور پوینت+ویدئو+مقالات+کتب- قابلیت ارائه در کلاس درسیبعد از خرید تنها 2 بار قابلیت دانلود در مدت زمان یک روز را خواهید داشت. حجم: حدود 122 مگا بایتتوجه نمایید که بعد از خرید نسخه متنی آدرس دانلود و پسورد را دریافت خواهید نمود.
تعریف: رشد منظم ماده تک بلور بر روی ساب استریت را اپیتکسی (Epitaxy) گویند که فرایند مهمی در تکنولوژی نیمه هادی می باشد.
واژه اپیتکسی از ریشه یونانی epi به معنای بالا و taxis به معنای روش منظم کردن گرفته شده است. همچنین می تواند به واژه “مرتب کردن بر روی ” ترجمه شود. لایه اپیتکسی ممکن است تحت فشار گاز یا مایع رشد کند.
تاریخچه:
در سال 1951 گوردون تیل و هاوارد کریستنسن در آزمایشگاه بل فرایندی را به نام رونشست اپیتکسی ایجاد کردند که لایه ای نازک از مواد بر روی یک بستر رشت پیدا می کرد.
در سال 1960 نیز اولین رونشست سیلیکون بین بیس و کلکتور ترانزیستور به وسیله روش رونشست بخار شیمیایی انجام شد. این روش ولتاژ شکست ترانزیستور را افزایش داد و همچنین به طور چشمگیری سرعت سوئیچینگ زیاد شد. در سال 1961 اولین ترانزیستور ساخته شده شرکت Fairchild با روش اپیتکسی برای 2N914 ثبت شد.
*انواع اپیتکسی:
*اپیتکسی همگن(homorpitaxy):
*نوعی از اپیتکسی که فقط با یک ماده انجام می شود. در این نوع اپیتکسی، لایه بلوری روی یک بستر یا لایه ای دیگر با مواد مشابه رشد می کند. اغلب سیلیکون بر روی سیلیکون رشد می کند.
*اپیتکسی غیر همگن(hetroepitaxy):
*نوعی از اپیتکسی که با موادی که با هم متفاوت هستند ساخته می شود. در این نوع، یک لایه بلوری روی یک بستر بلوری یا لایه ای از مواد دیگر رشد پیدا می کند. مثال این روش رو نشانی گالیوم نیتریت (GaN) بر روی آلومینیوم گالیوم ایندیم فسفات (AlGaInP) بر روی گالیوم آرسناید (GaAs).
*هتروتاپوتکسی (Hetrotopotaxy):
*مشابه اپیتکسی غیر همگن است به جز اینکه محدود به دو بعد نمی باشد.
نظرات خود را در خصوص محصول Epitaxy با ما در میان بگذارید. یا از بخش تماس با ما ارتباط ایجاد نمایید.
کار یه هفته منو انجام دادید تشکر. سرم شلوغ بود نمیرسیدم واقعا
خواهش میکنم دوست عزیز. در ضمن کپی کار خوبی نیست بهتره به عنوان کمک استفاده بشه